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LLQNA251818T150K

LLQNA251818T150K

Taiyo Yuden

1007 (2518 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 15UH 650MA 320 MOHM

Technische Daten

Induktivität
15 µH
Nennstrom
650 mA
DC-Widerstand (DCR)
320mOhm
Abmessungen
0.098" L x 0.071" W (2.50mm x 1.80mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LLQNA251818T150K.

Induktivität
15 µH

LLQNA251818T150K hat eine Induktivität von 15 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
650 mA

LLQNA251818T150K ist für 650 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
320mOhm

LLQNA251818T150K hat einen DC-Widerstand von 320mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1007 (2518 Metric)

LLQNA251818T150K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1007 (2518 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität15 µH
Toleranz±10%
Nennstrom650 mA
DC-Widerstand (DCR)320mOhm
Sättigungsstrom180mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.098" L x 0.071" W (2.50mm x 1.80mm)
Gehäuse / Größe1007 (2518 Metric)
Gehäuse / Ausführung1007 (2518 Metric)
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 15UH 650MA 320 MOHM
SerieLLQN
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz23MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz2.52 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1007
Höhe - sitzend (max.)0.079" (2.00mm)
Merkmale-

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