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LLXPD3030MKT4R7M

LLXPD3030MKT4R7M

Taiyo Yuden

1212 (3030 Metric)

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LLXPD3030MKT4R7M von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7 µH, Nennstrom 850 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 190mOhm, Gehäusegröße 1212 (3030 Metric). Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
850 mA
DC-Widerstand (DCR)
190mOhm
Abmessungen
0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LLXPD3030MKT4R7M.

Induktivität
4.7 µH

LLXPD3030MKT4R7M hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
850 mA

LLXPD3030MKT4R7M ist für 850 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
190mOhm

LLXPD3030MKT4R7M hat einen DC-Widerstand von 190mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1212 (3030 Metric)

LLXPD3030MKT4R7M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1212 (3030 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Similar-specification candidates · Engineering review required

Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.

Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
Zuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±20%
Nennstrom850 mA
DC-Widerstand (DCR)190mOhm
Sättigungsstrom1.25A
Betriebstemperatur-25°C ~ 120°C
Abmessungen0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)
Gehäuse / Größe1212 (3030 Metric)
Gehäuse / Ausführung1212 (3030 Metric)
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 850MA 190 MOHM
SerieLLXP
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Eigenresonanzfrequenz48MHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1212
Höhe - sitzend (max.)0.047" (1.20mm)