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LQB15NNR27M10D

muRata

0402
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQB15NNR27M10D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 270nH, Nennstrom 330mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 512.5mΩ, Gehäusegröße 0402. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
270nH
Nennstrom
330mA
DC-Widerstand (DCR)
512.5mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQB15NNR27M10D.

Induktivität
270nH

LQB15NNR27M10D hat eine Induktivität von 270nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
330mA

LQB15NNR27M10D ist für 330mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
512.5mΩ

LQB15NNR27M10D hat einen DC-Widerstand von 512.5mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402

LQB15NNR27M10D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität270nH
Toleranz±20%
Nennstrom330mA
DC-Widerstand (DCR)512.5mΩ
Gehäuse / Größe0402
Gehäuse / Ausführung0402
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 270nH, ±20%, Rated current: 330mA, Case: 0402
Typ / AufbauChip Inductor

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