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LQB15NNR33K10D

muRata

0402
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQB15NNR33K10D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 330nH, Nennstrom 300mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 480mΩ, Gehäusegröße 0402. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
330nH
Nennstrom
300mA
DC-Widerstand (DCR)
480mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQB15NNR33K10D.

Induktivität
330nH

LQB15NNR33K10D hat eine Induktivität von 330nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
300mA

LQB15NNR33K10D ist für 300mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
480mΩ

LQB15NNR33K10D hat einen DC-Widerstand von 480mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402

LQB15NNR33K10D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

Schnellwerkzeuge

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität330nH
Toleranz±10%
Nennstrom300mA
DC-Widerstand (DCR)480mΩ
Gehäuse / Größe0402
Gehäuse / Ausführung0402
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 330nH, ±10%, Rated current: 300mA, Case: 0402
Typ / AufbauChip Inductor

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