Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQB15NNR56M10D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 560nH, Nennstrom 300mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 730mΩ, Gehäusegröße 0402. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQB15NNR56M10D.
LQB15NNR56M10D hat eine Induktivität von 560nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQB15NNR56M10D ist für 300mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQB15NNR56M10D hat einen DC-Widerstand von 730mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQB15NNR56M10D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 560nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 300mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 730mΩ |
| Gehäuse / Größe | 0402 |
| Gehäuse / Ausführung | 0402 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 560nH, ±20%, Rated current: 300mA, Case: 0402 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |