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LQB18NNR47M10D

muRata

0603
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQB18NNR47M10D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 470nH, Nennstrom 400mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 580mΩ, Gehäusegröße 0603. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
470nH
Nennstrom
400mA
DC-Widerstand (DCR)
580mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQB18NNR47M10D.

Induktivität
470nH

LQB18NNR47M10D hat eine Induktivität von 470nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
400mA

LQB18NNR47M10D ist für 400mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
580mΩ

LQB18NNR47M10D hat einen DC-Widerstand von 580mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0603

LQB18NNR47M10D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität470nH
Toleranz±20%
Nennstrom400mA
DC-Widerstand (DCR)580mΩ
Gehäuse / Größe0603
Gehäuse / Ausführung0603
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 470nH, ±20%, Rated current: 400mA, Case: 0603
Typ / AufbauChip Inductor

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