Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQB18NNR56J10D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 560nH, Nennstrom 300mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 850mΩ, Gehäusegröße 0603. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQB18NNR56J10D.
LQB18NNR56J10D hat eine Induktivität von 560nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQB18NNR56J10D ist für 300mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQB18NNR56J10D hat einen DC-Widerstand von 850mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQB18NNR56J10D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 560nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 300mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 850mΩ |
| Gehäuse / Größe | 0603 |
| Gehäuse / Ausführung | 0603 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 560nH, ±5%, Rated current: 300mA, Case: 0603 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |