Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQG15HS3N0C02D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3nH, Nennstrom 800mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 125mΩ, Gehäusegröße 0402. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQG15HS3N0C02D.
LQG15HS3N0C02D hat eine Induktivität von 3nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQG15HS3N0C02D ist für 800mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQG15HS3N0C02D hat einen DC-Widerstand von 125mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQG15HS3N0C02D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3nH |
| Nennstrom | 800mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 125mΩ |
| Gehäuse / Größe | 0402 |
| Gehäuse / Ausführung | 0402 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 3nH, Rated current: 800mA, Case: 0402 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |
| Q bei Frequenz | 8@100MHz |