Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQG18HH2N2S00D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2nH, Nennstrom 1.1A, Gleichstromwiderstand (DCR) 100mΩ, Gehäusegröße 0603. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQG18HH2N2S00D.
LQG18HH2N2S00D hat eine Induktivität von 2.2nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQG18HH2N2S00D ist für 1.1A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQG18HH2N2S00D hat einen DC-Widerstand von 100mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQG18HH2N2S00D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2nH |
| Nennstrom | 1.1A |
| DC-Widerstand (DCR) | 100mΩ |
| Gehäuse / Größe | 0603 |
| Gehäuse / Ausführung | 0603 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 2.2nH, Rated current: 1.1A, Case: 0603 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |
| Q bei Frequenz | 12@100MHz |