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LQG18HH3N3S00D

muRata

0603
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQG18HH3N3S00D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3nH, Nennstrom 900mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 140mΩ, Gehäusegröße 0603. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
3.3nH
Nennstrom
900mA
DC-Widerstand (DCR)
140mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQG18HH3N3S00D.

Induktivität
3.3nH

LQG18HH3N3S00D hat eine Induktivität von 3.3nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
900mA

LQG18HH3N3S00D ist für 900mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
140mΩ

LQG18HH3N3S00D hat einen DC-Widerstand von 140mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0603

LQG18HH3N3S00D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität3.3nH
Nennstrom900mA
DC-Widerstand (DCR)140mΩ
Gehäuse / Größe0603
Gehäuse / Ausführung0603
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 3.3nH, Rated current: 900mA, Case: 0603
Typ / AufbauChip Inductor
Q bei Frequenz12@100MHz

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