Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH2HNHR82K03L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820nH, Nennstrom 550mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 90mΩ, Gehäusegröße 1008. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH2HNHR82K03L.
LQH2HNHR82K03L hat eine Induktivität von 820nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQH2HNHR82K03L ist für 550mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQH2HNHR82K03L hat einen DC-Widerstand von 90mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQH2HNHR82K03L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 820nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 550mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 90mΩ |
| Gehäuse / Größe | 1008 |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 820nH, ±10%, Rated current: 550mA, Case: 1008 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |