Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH2HPN2R2MDRL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2uH, Nennstrom 820mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.34 Ohm ±20%, Gehäusegröße 1008. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH2HPN2R2MDRL.
LQH2HPN2R2MDRL hat eine Induktivität von 2.2uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQH2HPN2R2MDRL ist für 820mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQH2HPN2R2MDRL hat einen DC-Widerstand von 0.34 Ohm ±20%. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQH2HPN2R2MDRL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 820mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.34 Ohm ±20% |
| Sättigungsstrom | 850mA |
| Gehäuse / Größe | 1008 |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 2.2uH, ±20%, Rated current: 820mA, Saturation current: 850mA, Case: 1008 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |