Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH2HPZ1R0MDRL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1uH, Nennstrom 960mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.24 Ohm ±20%, Gehäusegröße 1008. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH2HPZ1R0MDRL.
LQH2HPZ1R0MDRL hat eine Induktivität von 1uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQH2HPZ1R0MDRL ist für 960mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQH2HPZ1R0MDRL hat einen DC-Widerstand von 0.24 Ohm ±20%. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQH2HPZ1R0MDRL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 960mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.24 Ohm ±20% |
| Sättigungsstrom | 1.37A |
| Gehäuse / Größe | 1008 |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 1uH, ±20%, Rated current: 960mA, Saturation current: 1.37A, Case: 1008 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |