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LQH2HPZ220MJRL

muRata

1008
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH2HPZ220MJRL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 22uH, Nennstrom Itemp: 540 mA @ 85°C; 320 mA @ 105°C, Gleichstromwiderstand (DCR) 840mΩ, Gehäusegröße 1008. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
22uH
Nennstrom
Itemp: 540 mA @ 85°C; 320 mA @ 105°C
DC-Widerstand (DCR)
840mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH2HPZ220MJRL.

Induktivität
22uH

LQH2HPZ220MJRL hat eine Induktivität von 22uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
Itemp: 540 mA @ 85°C; 320 mA @ 105°C

LQH2HPZ220MJRL ist für Itemp: 540 mA @ 85°C; 320 mA @ 105°C ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
840mΩ

LQH2HPZ220MJRL hat einen DC-Widerstand von 840mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008

LQH2HPZ220MJRL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität22uH
Toleranz±20%
NennstromItemp: 540 mA @ 85°C; 320 mA @ 105°C
DC-Widerstand (DCR)840mΩ
Sättigungsstrom530mA
Gehäuse / Größe1008
Gehäuse / Ausführung1008
LieferantmuRata
BeschreibungPower Inductor, 22uH, ±20%, Saturation current: 530mA, Case: 1008
Typ / AufbauPower Inductor

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