Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH2HPZ3R3MDRL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3uH, Nennstrom 730mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.45 Ohm ±20%, Gehäusegröße 1008. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH2HPZ3R3MDRL.
LQH2HPZ3R3MDRL hat eine Induktivität von 3.3uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQH2HPZ3R3MDRL ist für 730mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQH2HPZ3R3MDRL hat einen DC-Widerstand von 0.45 Ohm ±20%. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQH2HPZ3R3MDRL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 730mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.45 Ohm ±20% |
| Sättigungsstrom | 750mA |
| Gehäuse / Größe | 1008 |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 3.3uH, ±20%, Rated current: 730mA, Saturation current: 750mA, Case: 1008 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |