Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH2HPZ4R7MJRL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7uH, Nennstrom Itemp: 1290 mA @ 85°C; 770 mA @ 105°C, Gleichstromwiderstand (DCR) 204mΩ, Gehäusegröße 1008. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH2HPZ4R7MJRL.
LQH2HPZ4R7MJRL hat eine Induktivität von 4.7uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQH2HPZ4R7MJRL ist für Itemp: 1290 mA @ 85°C; 770 mA @ 105°C ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQH2HPZ4R7MJRL hat einen DC-Widerstand von 204mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQH2HPZ4R7MJRL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von LQH2HPZ4R7MJRL weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 4.7uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | Itemp: 1290 mA @ 85°C; 770 mA @ 105°C |
| DC-Widerstand (DCR) | 204mΩ |
| Sättigungsstrom | 1.23A |
| Gehäuse / Größe | 1008 |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 4.7uH, ±20%, Saturation current: 1.23A, Case: 1008 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |