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LQH2HPZ6R8MGRL

muRata

1008
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH2HPZ6R8MGRL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8uH, Nennstrom Itemp: 860 mA @ 85°C; 490 mA @ 105°C, Gleichstromwiderstand (DCR) 395mΩ, Gehäusegröße 1008. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
6.8uH
Nennstrom
Itemp: 860 mA @ 85°C; 490 mA @ 105°C
DC-Widerstand (DCR)
395mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH2HPZ6R8MGRL.

Induktivität
6.8uH

LQH2HPZ6R8MGRL hat eine Induktivität von 6.8uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
Itemp: 860 mA @ 85°C; 490 mA @ 105°C

LQH2HPZ6R8MGRL ist für Itemp: 860 mA @ 85°C; 490 mA @ 105°C ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
395mΩ

LQH2HPZ6R8MGRL hat einen DC-Widerstand von 395mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008

LQH2HPZ6R8MGRL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität6.8uH
Toleranz±20%
NennstromItemp: 860 mA @ 85°C; 490 mA @ 105°C
DC-Widerstand (DCR)395mΩ
Sättigungsstrom830mA
Gehäuse / Größe1008
Gehäuse / Ausführung1008
LieferantmuRata
BeschreibungPower Inductor, 6.8uH, ±20%, Saturation current: 830mA, Case: 1008
Typ / AufbauPower Inductor

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