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LQH31HZR21J03L

muRata

1206
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH31HZR21J03L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 215nH, Nennstrom 520mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 110mΩ, Gehäusegröße 1206. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
215nH
Nennstrom
520mA
DC-Widerstand (DCR)
110mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH31HZR21J03L.

Induktivität
215nH

LQH31HZR21J03L hat eine Induktivität von 215nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
520mA

LQH31HZR21J03L ist für 520mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
110mΩ

LQH31HZR21J03L hat einen DC-Widerstand von 110mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1206

LQH31HZR21J03L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1206. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität215nH
Toleranz±5%
Nennstrom520mA
DC-Widerstand (DCR)110mΩ
Gehäuse / Größe1206
Gehäuse / Ausführung1206
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 215nH, ±5%, Rated current: 520mA, Case: 1206
Typ / AufbauChip Inductor

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