Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH32CH1R0M33L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1uH, Nennstrom 1A, Gleichstromwiderstand (DCR) 60mΩ, Gehäusegröße 1210. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH32CH1R0M33L.
LQH32CH1R0M33L hat eine Induktivität von 1uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQH32CH1R0M33L ist für 1A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQH32CH1R0M33L hat einen DC-Widerstand von 60mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQH32CH1R0M33L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1A |
| DC-Widerstand (DCR) | 60mΩ |
| Gehäuse / Größe | 1210 |
| Gehäuse / Ausführung | 1210 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 1uH, ±20%, Rated current: 1A, Case: 1210 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |