Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH32DZ221K23L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 220uH, Nennstrom 70mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 8.4Ω, Gehäusegröße 1210. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH32DZ221K23L.
LQH32DZ221K23L hat eine Induktivität von 220uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQH32DZ221K23L ist für 70mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQH32DZ221K23L hat einen DC-Widerstand von 8.4Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQH32DZ221K23L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 220uH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 70mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 8.4Ω |
| Gehäuse / Größe | 1210 |
| Gehäuse / Ausführung | 1210 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 220uH, ±10%, Rated current: 70mA, Case: 1210 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |