Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH32DZ3R3M23L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3uH, Nennstrom 530mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 200mΩ, Gehäusegröße 1210. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH32DZ3R3M23L.
LQH32DZ3R3M23L hat eine Induktivität von 3.3uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQH32DZ3R3M23L ist für 530mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQH32DZ3R3M23L hat einen DC-Widerstand von 200mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQH32DZ3R3M23L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 530mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 200mΩ |
| Gehäuse / Größe | 1210 |
| Gehäuse / Ausführung | 1210 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 3.3uH, ±20%, Rated current: 530mA, Case: 1210 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |