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LQH32PB101MN0L

muRata

1210
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH32PB101MN0L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100uH, Nennstrom Itemp: 250 mA @ 85°C; 110 mA @ 105°C, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.7Ω, Gehäusegröße 1210. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
100uH
Nennstrom
Itemp: 250 mA @ 85°C; 110 mA @ 105°C
DC-Widerstand (DCR)
2.7Ω

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH32PB101MN0L.

Induktivität
100uH

LQH32PB101MN0L hat eine Induktivität von 100uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
Itemp: 250 mA @ 85°C; 110 mA @ 105°C

LQH32PB101MN0L ist für Itemp: 250 mA @ 85°C; 110 mA @ 105°C ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.7Ω

LQH32PB101MN0L hat einen DC-Widerstand von 2.7Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210

LQH32PB101MN0L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität100uH
Toleranz±20%
NennstromItemp: 250 mA @ 85°C; 110 mA @ 105°C
DC-Widerstand (DCR)2.7Ω
Sättigungsstrom180mA
Gehäuse / Größe1210
Gehäuse / Ausführung1210
LieferantmuRata
BeschreibungPower Inductor, 100uH, ±20%, Saturation current: 180mA, Case: 1210
Typ / AufbauPower Inductor

Vorschau

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