Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH32PZ121MN0L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 120uH, Nennstrom 200mA; 80mA, Gehäusegröße 1210. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH32PZ121MN0L.
LQH32PZ121MN0L hat eine Induktivität von 120uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQH32PZ121MN0L ist für 200mA; 80mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQH32PZ121MN0L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 120uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 200mA; 80mA |
| Sättigungsstrom | 170mA |
| Gehäuse / Größe | 1210 |
| Gehäuse / Ausführung | 1210 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 120uH, ±20%, Rated current: 200mA; 80mA, Saturation current: 170mA, Case: 1210 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |