Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH3NPH100MMEL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10uH, Nennstrom 1.28A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.19 Ohm ±20%, Gehäusegröße SMD,3x3mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH3NPH100MMEL.
LQH3NPH100MMEL hat eine Induktivität von 10uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQH3NPH100MMEL ist für 1.28A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQH3NPH100MMEL hat einen DC-Widerstand von 0.19 Ohm ±20%. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQH3NPH100MMEL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,3x3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 10uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.28A |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.19 Ohm ±20% |
| Sättigungsstrom | 810mA |
| Gehäuse / Größe | SMD,3x3mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,3x3mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 10uH, ±20%, Rated current: 1.28A, Saturation current: 810mA, Case: SMD,3x3mm |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |
| Eigenresonanzfrequenz | 20 MHz Min |