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LQH3NPH4R7MMEL

muRata

1212
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH3NPH4R7MMEL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7uH, Nennstrom Itemp: 1700 mA @ 85°C; 1000 mA @ 105°C, Gleichstromwiderstand (DCR) 100mΩ, Gehäusegröße 1212. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
4.7uH
Nennstrom
Itemp: 1700 mA @ 85°C; 1000 mA @ 105°C
DC-Widerstand (DCR)
100mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH3NPH4R7MMEL.

Induktivität
4.7uH

LQH3NPH4R7MMEL hat eine Induktivität von 4.7uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
Itemp: 1700 mA @ 85°C; 1000 mA @ 105°C

LQH3NPH4R7MMEL ist für Itemp: 1700 mA @ 85°C; 1000 mA @ 105°C ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
100mΩ

LQH3NPH4R7MMEL hat einen DC-Widerstand von 100mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1212

LQH3NPH4R7MMEL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1212. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität4.7uH
Toleranz±20%
NennstromItemp: 1700 mA @ 85°C; 1000 mA @ 105°C
DC-Widerstand (DCR)100mΩ
Sättigungsstrom1.3A
Gehäuse / Größe1212
Gehäuse / Ausführung1212
LieferantmuRata
BeschreibungPower Inductor, 4.7uH, ±20%, Saturation current: 1.3A, Case: 1212
Typ / AufbauPower Inductor
Eigenresonanzfrequenz40 MHz Min

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