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LQH3NPH560MMEL

muRata

1212
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH3NPH560MMEL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 56uH, Nennstrom Itemp: 500 mA @ 85°C; 320 mA @ 105°C, Gleichstromwiderstand (DCR) 1Ω, Gehäusegröße 1212. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
56uH
Nennstrom
Itemp: 500 mA @ 85°C; 320 mA @ 105°C
DC-Widerstand (DCR)
1Ω

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH3NPH560MMEL.

Induktivität
56uH

LQH3NPH560MMEL hat eine Induktivität von 56uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
Itemp: 500 mA @ 85°C; 320 mA @ 105°C

LQH3NPH560MMEL ist für Itemp: 500 mA @ 85°C; 320 mA @ 105°C ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1Ω

LQH3NPH560MMEL hat einen DC-Widerstand von 1Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1212

LQH3NPH560MMEL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1212. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität56uH
Toleranz±20%
NennstromItemp: 500 mA @ 85°C; 320 mA @ 105°C
DC-Widerstand (DCR)1Ω
Sättigungsstrom350mA
Gehäuse / Größe1212
Gehäuse / Ausführung1212
LieferantmuRata
BeschreibungPower Inductor, 56uH, ±20%, Saturation current: 350mA, Case: 1212
Typ / AufbauPower Inductor
Eigenresonanzfrequenz5 MHz Min

Vorschau

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