Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH3NPN1R0MGRL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1uH, Nennstrom 2080 mA (Itemp), Gleichstromwiderstand (DCR) 0.062 Ohm ±20%, Gehäusegröße 1210. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH3NPN1R0MGRL.
LQH3NPN1R0MGRL hat eine Induktivität von 1uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQH3NPN1R0MGRL ist für 2080 mA (Itemp) ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQH3NPN1R0MGRL hat einen DC-Widerstand von 0.062 Ohm ±20%. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQH3NPN1R0MGRL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2080 mA (Itemp) |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.062 Ohm ±20% |
| Sättigungsstrom | 1700 mA |
| Gehäuse / Größe | 1210 |
| Gehäuse / Ausführung | 1210 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 1uH, ±20%, Case: 1210 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |