Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH3NPN1R0MJRL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1uH, Nennstrom 1.23A, Gehäusegröße SMD,3x3mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH3NPN1R0MJRL.
LQH3NPN1R0MJRL hat eine Induktivität von 1uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQH3NPN1R0MJRL ist für 1.23A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQH3NPN1R0MJRL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,3x3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.23A |
| Sättigungsstrom | 2.25A |
| Gehäuse / Größe | SMD,3x3mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,3x3mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 1uH, ±20%, Rated current: 1.23A, Saturation current: 2.25A, Case: SMD,3x3mm |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |