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LQH3NPN1R5MGRL

muRata

SMD,3x3mm
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH3NPN1R5MGRL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.5uH, Nennstrom 2040 mA (Itemp), Gleichstromwiderstand (DCR) 74mΩ, Gehäusegröße SMD,3x3mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.5uH
Nennstrom
2040 mA (Itemp)
DC-Widerstand (DCR)
74mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH3NPN1R5MGRL.

Induktivität
1.5uH

LQH3NPN1R5MGRL hat eine Induktivität von 1.5uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2040 mA (Itemp)

LQH3NPN1R5MGRL ist für 2040 mA (Itemp) ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
74mΩ

LQH3NPN1R5MGRL hat einen DC-Widerstand von 74mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,3x3mm

LQH3NPN1R5MGRL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,3x3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität1.5uH
Toleranz±20%
Nennstrom2040 mA (Itemp)
DC-Widerstand (DCR)74mΩ
Sättigungsstrom1400 mA
Gehäuse / GrößeSMD,3x3mm
Gehäuse / AusführungSMD,3x3mm
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 1.5uH, ±20%, Case: SMD,3x3mm
Typ / AufbauChip Inductor
Eigenresonanzfrequenz80MHz

Vorschau

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