Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH3NPN221MGRL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 220uH, Gleichstromwiderstand (DCR) 7.5Ω, Gehäusegröße SMD,3x3mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH3NPN221MGRL.
LQH3NPN221MGRL hat eine Induktivität von 220uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQH3NPN221MGRL hat einen DC-Widerstand von 7.5Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQH3NPN221MGRL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,3x3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 220uH |
| Toleranz | ±20% |
| DC-Widerstand (DCR) | 7.5Ω |
| Gehäuse / Größe | SMD,3x3mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,3x3mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 220uH, ±20%, Case: SMD,3x3mm |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |
| Eigenresonanzfrequenz | 2MHz |