Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH3NPN2R2MJRL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2uH, Nennstrom 980mA, Gehäusegröße SMD,3x3mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH3NPN2R2MJRL.
LQH3NPN2R2MJRL hat eine Induktivität von 2.2uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQH3NPN2R2MJRL ist für 980mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQH3NPN2R2MJRL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,3x3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 980mA |
| Sättigungsstrom | 1.8A |
| Gehäuse / Größe | SMD,3x3mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,3x3mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 2.2uH, ±20%, Rated current: 980mA, Saturation current: 1.8A, Case: SMD,3x3mm |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |