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LQH3NPN2R2MMEL

muRata

SMD,3x3mm
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH3NPN2R2MMEL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2uH, Nennstrom 1.22A, Gehäusegröße SMD,3x3mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.2uH
Nennstrom
1.22A

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH3NPN2R2MMEL.

Induktivität
2.2uH

LQH3NPN2R2MMEL hat eine Induktivität von 2.2uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.22A

LQH3NPN2R2MMEL ist für 1.22A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

Gehäuse / Ausführung
SMD,3x3mm

LQH3NPN2R2MMEL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,3x3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität2.2uH
Toleranz±20%
Nennstrom1.22A
Sättigungsstrom1.8A
Gehäuse / GrößeSMD,3x3mm
Gehäuse / AusführungSMD,3x3mm
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 2.2uH, ±20%, Rated current: 1.22A, Saturation current: 1.8A, Case: SMD,3x3mm
Typ / AufbauChip Inductor

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