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LQH3NPN4R7MJRL

muRata

SMD,3x3mm
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH3NPN4R7MJRL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7uH, Nennstrom 710mA, Gehäusegröße SMD,3x3mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
4.7uH
Nennstrom
710mA

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH3NPN4R7MJRL.

Induktivität
4.7uH

LQH3NPN4R7MJRL hat eine Induktivität von 4.7uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
710mA

LQH3NPN4R7MJRL ist für 710mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

Gehäuse / Ausführung
SMD,3x3mm

LQH3NPN4R7MJRL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,3x3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität4.7uH
Toleranz±20%
Nennstrom710mA
Sättigungsstrom1.18A
Gehäuse / GrößeSMD,3x3mm
Gehäuse / AusführungSMD,3x3mm
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 4.7uH, ±20%, Rated current: 710mA, Saturation current: 1.18A, Case: SMD,3x3mm
Typ / AufbauChip Inductor

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