Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH3NPN4R7MMEL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7uH, Nennstrom 1A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.1 Ohm ±20%, Gehäusegröße SMD,3x3mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH3NPN4R7MMEL.
LQH3NPN4R7MMEL hat eine Induktivität von 4.7uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQH3NPN4R7MMEL ist für 1A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQH3NPN4R7MMEL hat einen DC-Widerstand von 0.1 Ohm ±20%. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQH3NPN4R7MMEL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,3x3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 4.7uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1A |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.1 Ohm ±20% |
| Sättigungsstrom | 1.3A |
| Gehäuse / Größe | SMD,3x3mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,3x3mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 4.7uH, ±20%, Rated current: 1A, Saturation current: 1.3A, Case: SMD,3x3mm |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |