Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH3NPN680MGRL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 68uH, Nennstrom 280 mA (Itemp), Gleichstromwiderstand (DCR) 2.1Ω, Gehäusegröße SMD,3x3mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH3NPN680MGRL.
LQH3NPN680MGRL hat eine Induktivität von 68uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQH3NPN680MGRL ist für 280 mA (Itemp) ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQH3NPN680MGRL hat einen DC-Widerstand von 2.1Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQH3NPN680MGRL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,3x3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von LQH3NPN680MGRL weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 68uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 280 mA (Itemp) |
| DC-Widerstand (DCR) | 2.1Ω |
| Sättigungsstrom | 220 mA |
| Gehäuse / Größe | SMD,3x3mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,3x3mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 68uH, ±20%, Case: SMD,3x3mm |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |
| Eigenresonanzfrequenz | 6MHz |