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LQH3NPN680MGRL

muRata

SMD,3x3mm
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH3NPN680MGRL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 68uH, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.1Ω, Gehäusegröße SMD,3x3mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
68uH
DC-Widerstand (DCR)
2.1Ω

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH3NPN680MGRL.

Induktivität
68uH

LQH3NPN680MGRL hat eine Induktivität von 68uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
2.1Ω

LQH3NPN680MGRL hat einen DC-Widerstand von 2.1Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,3x3mm

LQH3NPN680MGRL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,3x3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität68uH
Toleranz±20%
DC-Widerstand (DCR)2.1Ω
Gehäuse / GrößeSMD,3x3mm
Gehäuse / AusführungSMD,3x3mm
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 68uH, ±20%, Case: SMD,3x3mm
Typ / AufbauChip Inductor
Eigenresonanzfrequenz6MHz

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