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LQH3NPNR68NJRL

muRata

SMD,3x3mm
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH3NPNR68NJRL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 680nH, Nennstrom 2.7A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.032 Ohm ±20%, Gehäusegröße SMD,3x3mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
680nH
Nennstrom
2.7A
DC-Widerstand (DCR)
0.032 Ohm ±20%

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH3NPNR68NJRL.

Induktivität
680nH

LQH3NPNR68NJRL hat eine Induktivität von 680nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.7A

LQH3NPNR68NJRL ist für 2.7A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
0.032 Ohm ±20%

LQH3NPNR68NJRL hat einen DC-Widerstand von 0.032 Ohm ±20%. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,3x3mm

LQH3NPNR68NJRL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,3x3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität680nH
Toleranz±30%
Nennstrom2.7A
DC-Widerstand (DCR)0.032 Ohm ±20%
Sättigungsstrom1.28A
Gehäuse / GrößeSMD,3x3mm
Gehäuse / AusführungSMD,3x3mm
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 680nH, ±30%, Rated current: 2.7A, Saturation current: 1.28A, Case: SMD,3x3mm
Typ / AufbauChip Inductor

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