Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH3NPZ100MGRL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10uH, Nennstrom Itemp: 1120 mA @ 85°C; 670 mA @ 105°C, Gleichstromwiderstand (DCR) 280mΩ, Gehäusegröße SMD,3x3mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH3NPZ100MGRL.
LQH3NPZ100MGRL hat eine Induktivität von 10uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQH3NPZ100MGRL ist für Itemp: 1120 mA @ 85°C; 670 mA @ 105°C ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQH3NPZ100MGRL hat einen DC-Widerstand von 280mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQH3NPZ100MGRL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,3x3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von LQH3NPZ100MGRL weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 10uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | Itemp: 1120 mA @ 85°C; 670 mA @ 105°C |
| DC-Widerstand (DCR) | 280mΩ |
| Sättigungsstrom | 570mA |
| Gehäuse / Größe | SMD,3x3mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,3x3mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 10uH, ±20%, Saturation current: 570mA, Case: SMD,3x3mm |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |