Meine Favoriten

LQH3NPZ1R0MMEL

muRata

SMD,3x3mm
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH3NPZ1R0MMEL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1uH, Nennstrom 1.6A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.025 Ohm ±20%, Gehäusegröße SMD,3x3mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1uH
Nennstrom
1.6A
DC-Widerstand (DCR)
0.025 Ohm ±20%

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH3NPZ1R0MMEL.

Induktivität
1uH

LQH3NPZ1R0MMEL hat eine Induktivität von 1uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.6A

LQH3NPZ1R0MMEL ist für 1.6A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
0.025 Ohm ±20%

LQH3NPZ1R0MMEL hat einen DC-Widerstand von 0.025 Ohm ±20%. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,3x3mm

LQH3NPZ1R0MMEL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,3x3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

Schnellwerkzeuge

Verwenden Sie diese Rechner für Ihr Induktivitätsdesign

Weitere Datasheet-Pfade erkunden

Gehen Sie von LQH3NPZ1R0MMEL weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität1uH
Toleranz±20%
Nennstrom1.6A
DC-Widerstand (DCR)0.025 Ohm ±20%
Sättigungsstrom2.35A
Gehäuse / GrößeSMD,3x3mm
Gehäuse / AusführungSMD,3x3mm
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 1uH, ±20%, Rated current: 1.6A, Saturation current: 2.35A, Case: SMD,3x3mm
Typ / AufbauChip Inductor
Eigenresonanzfrequenz100 MHz Min

Vorschau

PDF öffnen