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LQH3NPZ330MGRL

muRata

SMD,3x3mm
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH3NPZ330MGRL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 33uH, Nennstrom Itemp: 600 mA @ 85°C; 360 mA @ 105°C, Gleichstromwiderstand (DCR) 860mΩ, Gehäusegröße SMD,3x3mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
33uH
Nennstrom
Itemp: 600 mA @ 85°C; 360 mA @ 105°C
DC-Widerstand (DCR)
860mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH3NPZ330MGRL.

Induktivität
33uH

LQH3NPZ330MGRL hat eine Induktivität von 33uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
Itemp: 600 mA @ 85°C; 360 mA @ 105°C

LQH3NPZ330MGRL ist für Itemp: 600 mA @ 85°C; 360 mA @ 105°C ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
860mΩ

LQH3NPZ330MGRL hat einen DC-Widerstand von 860mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,3x3mm

LQH3NPZ330MGRL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,3x3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität33uH
Toleranz±20%
NennstromItemp: 600 mA @ 85°C; 360 mA @ 105°C
DC-Widerstand (DCR)860mΩ
Sättigungsstrom320 mA
Gehäuse / GrößeSMD,3x3mm
Gehäuse / AusführungSMD,3x3mm
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 33uH, ±20%, Case: SMD,3x3mm
Typ / AufbauChip Inductor
Eigenresonanzfrequenz8MHz

Vorschau

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