Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH3NPZ3R3MGRL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3uH, Gleichstromwiderstand (DCR) 120mΩ, Gehäusegröße SMD,3x3mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH3NPZ3R3MGRL.
LQH3NPZ3R3MGRL hat eine Induktivität von 3.3uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQH3NPZ3R3MGRL hat einen DC-Widerstand von 120mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQH3NPZ3R3MGRL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,3x3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3uH |
| Toleranz | ±20% |
| DC-Widerstand (DCR) | 120mΩ |
| Gehäuse / Größe | SMD,3x3mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,3x3mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 3.3uH, ±20%, Case: SMD,3x3mm |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |
| Eigenresonanzfrequenz | 30MHz |