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LQH3NPZ4R7MGRL

muRata

1212
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH3NPZ4R7MGRL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7uH, Nennstrom 910mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.14 Ohm ±20%, Gehäusegröße 1212. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
4.7uH
Nennstrom
910mA
DC-Widerstand (DCR)
0.14 Ohm ±20%

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH3NPZ4R7MGRL.

Induktivität
4.7uH

LQH3NPZ4R7MGRL hat eine Induktivität von 4.7uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
910mA

LQH3NPZ4R7MGRL ist für 910mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
0.14 Ohm ±20%

LQH3NPZ4R7MGRL hat einen DC-Widerstand von 0.14 Ohm ±20%. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1212

LQH3NPZ4R7MGRL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1212. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität4.7uH
Toleranz±20%
Nennstrom910mA
DC-Widerstand (DCR)0.14 Ohm ±20%
Sättigungsstrom850mA
Gehäuse / Größe1212
Gehäuse / Ausführung1212
LieferantmuRata
BeschreibungPower Inductor, 4.7uH, ±20%, Rated current: 910mA, Saturation current: 850mA, Case: 1212
Typ / AufbauPower Inductor

Vorschau

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