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LQH3NPZ4R7MJRL

muRata

1212
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH3NPZ4R7MJRL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7uH, Nennstrom 1.58A, Gehäusegröße 1212. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
4.7uH
Nennstrom
1.58A

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH3NPZ4R7MJRL.

Induktivität
4.7uH

LQH3NPZ4R7MJRL hat eine Induktivität von 4.7uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.58A

LQH3NPZ4R7MJRL ist für 1.58A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

Gehäuse / Ausführung
1212

LQH3NPZ4R7MJRL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1212. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität4.7uH
Toleranz±20%
Nennstrom1.58A
Sättigungsstrom1.18A
Gehäuse / Größe1212
Gehäuse / Ausführung1212
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 4.7uH, ±20%, Rated current: 1.58A, Saturation current: 1.18A, Case: 1212
Typ / AufbauChip Inductor

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