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LQH3NPZ560MMEL

muRata

1212
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH3NPZ560MMEL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 56uH, Nennstrom 500mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1Ω, Gehäusegröße 1212. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
56uH
Nennstrom
500mA
DC-Widerstand (DCR)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH3NPZ560MMEL.

Induktivität
56uH

LQH3NPZ560MMEL hat eine Induktivität von 56uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
500mA

LQH3NPZ560MMEL ist für 500mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)

LQH3NPZ560MMEL hat einen DC-Widerstand von 1Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1212

LQH3NPZ560MMEL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1212. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität56uH
Toleranz±20%
Nennstrom500mA
DC-Widerstand (DCR)
Gehäuse / Größe1212
Gehäuse / Ausführung1212
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 56uH, ±20%, Rated current: 500mA, Case: 1212
Typ / AufbauChip Inductor

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