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LQH3NPZ6R8MMEL

muRata

SMD,3x3mm
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH3NPZ6R8MMEL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8uH, Nennstrom 900mA, Gehäusegröße SMD,3x3mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
6.8uH
Nennstrom
900mA

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH3NPZ6R8MMEL.

Induktivität
6.8uH

LQH3NPZ6R8MMEL hat eine Induktivität von 6.8uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
900mA

LQH3NPZ6R8MMEL ist für 900mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

Gehäuse / Ausführung
SMD,3x3mm

LQH3NPZ6R8MMEL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,3x3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität6.8uH
Toleranz±20%
Nennstrom900mA
Sättigungsstrom1.04A
Gehäuse / GrößeSMD,3x3mm
Gehäuse / AusführungSMD,3x3mm
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 6.8uH, ±20%, Rated current: 900mA, Saturation current: 1.04A, Case: SMD,3x3mm
Typ / AufbauChip Inductor

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