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LQH3NPZR47NGRL

muRata

SMD,3x3mm
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH3NPZR47NGRL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 470nH, Nennstrom Itemp: 2540 mA @ 85°C; 1520 mA @ 105°C, Gleichstromwiderstand (DCR) 47mΩ, Gehäusegröße SMD,3x3mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
470nH
Nennstrom
Itemp: 2540 mA @ 85°C; 1520 mA @ 105°C
DC-Widerstand (DCR)
47mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH3NPZR47NGRL.

Induktivität
470nH

LQH3NPZR47NGRL hat eine Induktivität von 470nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
Itemp: 2540 mA @ 85°C; 1520 mA @ 105°C

LQH3NPZR47NGRL ist für Itemp: 2540 mA @ 85°C; 1520 mA @ 105°C ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
47mΩ

LQH3NPZR47NGRL hat einen DC-Widerstand von 47mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,3x3mm

LQH3NPZR47NGRL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,3x3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität470nH
Toleranz±30%
NennstromItemp: 2540 mA @ 85°C; 1520 mA @ 105°C
DC-Widerstand (DCR)47mΩ
Sättigungsstrom2820 mA
Gehäuse / GrößeSMD,3x3mm
Gehäuse / AusführungSMD,3x3mm
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 470nH, ±30%, Case: SMD,3x3mm
Typ / AufbauChip Inductor
Eigenresonanzfrequenz180MHz

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