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LQH44NNR51M03L

muRata

SMD,4x4mm
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH44NNR51M03L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 510nH, Gleichstromwiderstand (DCR) 7.5mΩ, Gehäusegröße SMD,4x4mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
510nH
DC-Widerstand (DCR)
7.5mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH44NNR51M03L.

Induktivität
510nH

LQH44NNR51M03L hat eine Induktivität von 510nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
7.5mΩ

LQH44NNR51M03L hat einen DC-Widerstand von 7.5mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,4x4mm

LQH44NNR51M03L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,4x4mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

Schnellwerkzeuge

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität510nH
Toleranz±20%
DC-Widerstand (DCR)7.5mΩ
Gehäuse / GrößeSMD,4x4mm
Gehäuse / AusführungSMD,4x4mm
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 510nH, ±20%, Case: SMD,4x4mm
Typ / AufbauChip Inductor
Eigenresonanzfrequenz160MHz

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