Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH55DN2R2M03L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2uH, Nennstrom 3.2A, Gleichstromwiderstand (DCR) 29mΩ, Gehäusegröße 2220. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH55DN2R2M03L.
LQH55DN2R2M03L hat eine Induktivität von 2.2uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQH55DN2R2M03L ist für 3.2A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQH55DN2R2M03L hat einen DC-Widerstand von 29mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQH55DN2R2M03L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2220. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 3.2A |
| DC-Widerstand (DCR) | 29mΩ |
| Gehäuse / Größe | 2220 |
| Gehäuse / Ausführung | 2220 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 2.2uH, ±20%, Rated current: 3.2A, Case: 2220 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |