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LQH55DN470M03L

muRata

SMD,5x5.7mm
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH55DN470M03L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 47uH, Nennstrom 800mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 560mΩ, Gehäusegröße SMD,5x5.7mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
47uH
Nennstrom
800mA
DC-Widerstand (DCR)
560mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH55DN470M03L.

Induktivität
47uH

LQH55DN470M03L hat eine Induktivität von 47uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
800mA

LQH55DN470M03L ist für 800mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
560mΩ

LQH55DN470M03L hat einen DC-Widerstand von 560mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,5x5.7mm

LQH55DN470M03L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,5x5.7mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität47uH
Toleranz±20%
Nennstrom800mA
DC-Widerstand (DCR)560mΩ
Gehäuse / GrößeSMD,5x5.7mm
Gehäuse / AusführungSMD,5x5.7mm
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 47uH, ±20%, Rated current: 800mA, Case: SMD,5x5.7mm
Typ / AufbauChip Inductor

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