Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH55DN6R8M03L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8uH, Gleichstromwiderstand (DCR) 74mΩ, Gehäusegröße SMD,5x5.7mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH55DN6R8M03L.
LQH55DN6R8M03L hat eine Induktivität von 6.8uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQH55DN6R8M03L hat einen DC-Widerstand von 74mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQH55DN6R8M03L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,5x5.7mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von LQH55DN6R8M03L weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 6.8uH |
| Toleranz | ±20% |
| DC-Widerstand (DCR) | 74mΩ |
| Gehäuse / Größe | SMD,5x5.7mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,5x5.7mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 6.8uH, ±20%, Case: SMD,5x5.7mm |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |
| Eigenresonanzfrequenz | 25MHz |