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LQH5BPN1R2NT0L

muRata

SMD,5x5mm
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH5BPN1R2NT0L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.2uH, Nennstrom 3.1A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.019 Ohm ±20%, Gehäusegröße SMD,5x5mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.2uH
Nennstrom
3.1A
DC-Widerstand (DCR)
0.019 Ohm ±20%

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH5BPN1R2NT0L.

Induktivität
1.2uH

LQH5BPN1R2NT0L hat eine Induktivität von 1.2uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3.1A

LQH5BPN1R2NT0L ist für 3.1A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
0.019 Ohm ±20%

LQH5BPN1R2NT0L hat einen DC-Widerstand von 0.019 Ohm ±20%. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,5x5mm

LQH5BPN1R2NT0L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,5x5mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität1.2uH
Toleranz±30%
Nennstrom3.1A
DC-Widerstand (DCR)0.019 Ohm ±20%
Sättigungsstrom5.4A
Gehäuse / GrößeSMD,5x5mm
Gehäuse / AusführungSMD,5x5mm
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 1.2uH, ±30%, Rated current: 3.1A, Saturation current: 5.4A, Case: SMD,5x5mm
Typ / AufbauChip Inductor

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